Ⅱ—VI族宽禁带化合物半导体的研究现状及其应用前景
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1晓晔.Ⅱ—Ⅵ族衬底新动态（一）[J].电子材料快报,2000(2):8-9.
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2晓晔.Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料地位不容忽视[J].电子材料快报,1999(6):7-8.
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3晓晔.Ⅱ—Ⅵ族衬底新动态（二）[J].电子材料快报,2000(3):8-9.
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4晓晔.在晶向偏离的GaAs（110）上生长ZnSe[J].电子材料快报,1998(10):11-12.
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5Reyn.,RA,李玲.Ⅱ—Ⅵ族化合物：30年的历史以及今后30年的潜力[J].红外,1990(1):1-3.
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6崔捷,王海龙,干福熹,黄旭光,蔡志岗,李庆行,余振新.Ⅱ—Ⅵ族宽禁带ZnS/ZnSe应变层超晶格瞬态激子复合发光特性[J].科学通报,1991,36(24):1853-1855. 被引量：1
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7徐永宽.P型ZnSe的氮掺杂及其载流子的补偿[J].电子材料快报,1998(9):16-17.
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8王海龙,徐梁,崔捷,沈爱东,陈云良,沈玉华.宽带Ⅱ—Ⅵ族超晶格材料MBE生长及其特性研究[J].半导体情报,1991,28(6):58-61.
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9靳敏.高浓度掺杂[J].电子材料快报,1995(12):17-18.
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10徐梁,陈云良,王海龙.Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延[J].量子电子学,1992,9(4):382-386.
