IV—IV族宽禁带化合物半导体SiC的研究现状及其应用
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2李静.宽禁带半导体SiC和GaN峥嵘初显[J].世界产品与技术,2003(11):40-43. 被引量：1
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3李宏宇.6H－SiC单片NMOS数字集成电路[J].半导体情报,1996,33(3):45-47.
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4HAFOM.碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用[J].集成电路应用,2016,0(2):34-37. 被引量：5
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5秦涛,何秀坤,董彦辉,李劼.半绝缘半导体切片电阻率无接触测定方法研究[J].电子科技,2009,22(5):66-68. 被引量：1
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6邓隐北,王予山.未来电力电子(PE)技术的研发动向[J].电源世界,2013(5):21-24.
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7第3代半导体SiC功率模块研发及产业化项目开工[J].新材料产业,2017,0(1):81-81.
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8邓志杰（摘译）.半导体SiC研究开发现状[J].现代材料动态,2006(6):4-6.
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9黄继颇,王连卫,林成鲁.宽禁带半导体SiC的离子束合成、掺杂、隔离与智能剥离[J].物理,1998,27(5):297-300.
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10李效白.SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题[J].微纳电子技术,2004,41(11):1-6. 被引量：6
