电子辐照晶体管hFE的稳定性研究
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1991年第5期16-20,共5页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1王忠安.电子辐照晶体管的研究[J].半导体技术,1989,5(3):17-24.
-
2翟冬青,李彦波,张振岭.硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性分析及其应用[J].半导体技术,1990,6(2):49-52.
-
3许志祥.电子辐照对功率半导体器件电学参数的影响[J].上海微电子技术和应用,1994(4):26-30.
-
4翟冬青,李彦波,李浩.电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响[J].Journal of Semiconductors,1992,13(11):709-713.
-
5许志祥.电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响[J].核技术,1991,14(4):253-255. 被引量：3
-
6郭义,潘洪胜.电子辐照砷化镓的电学性质[J].苏联科学与技术,1989(2):29-32.
-
7郊茳,陈卫东,魏同立,孟江生.77K硅双极晶体管H_(FE)参数的原理与设计[J].东南大学学报（自然科学版）,1991,21(1):65-70.
-
8布.,ДИ,樊香国.电子辐照Si（Sn,Yb）外延层的光致发光[J].苏联科学与技术,1992(5):24-25.
-
9翟冬青.电子辐照对硅双极晶体管参数的影响[J].辐射研究与辐射工艺学报,1992,10(2):126-128. 被引量：2
-
10胡雨生,汪乐,陈正秀.电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(12):889-895. 被引量：2
;
