MOS场效应晶体管特性与应用

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摘要一、MOS场效应晶体管导电机构及原理 MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是 N沟导 MOS管芯结构原理图,即在 P型硅基片上有两个 N^+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用 D表示,在 D和 S间的硅片上覆盖了较薄的 SiO_2绝缘层和金属层,并引出一电极,

作者蒋洪瑶王生学

机构地区上海工业大学

出处《电子技术（上海）》北大核心 1991年第4期16-18,共3页 Electronic Technology

关键词 MOS 场效应晶体管导电机构应用

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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电子技术（上海）

1991年第4期

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