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微波半导体器件及电路的应用概况(续一)
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摘要
4.2 异质结双极晶体管(HBT) 异质结双极晶体管的结构特点是具有宽带隙的发射区,大大提高了发射结的载流子注入效率。HBT的功率密度高,相位噪声低,线性度好,单电源工作,虽然高频工作性能稍逊于PHEMT。
作者
莫火石
盛柏桢
机构地区
信息产业部电子第
出处
《电子元器件应用》
2000年第11期6-12,共7页
Electronic Component & Device Applications
关键词
半导体器件
微波器件
异质结双极晶体管
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN6 [电子电信—电路与系统]
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电子元器件应用
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