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超大规模集成电路设计基础 第十讲 超高速砷化镓集成电路介绍

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摘要 10.1 概述近十年来,数字集成技术在高速和高集成度两个方面的发展十分迅速。由于计算机和数字通信等发展的强烈需求,使超高速集成逻辑成为数字集成技术发展的一个重要前沿,目前认为,砷化镓(GaAs)半导体集成电路,是最有前途的。在第一讲中已经提到,GaAs 材料中的电子迁移率很高,有效质量只是硅材料中电子的7%。GaAs 场效应管(FET)沟道中的电子迁移率要比硅FET
出处 《电子技术应用》 北大核心 1991年第10期40-42,共3页 Application of Electronic Technique
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