半导体材料缺陷工程

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摘要第8届半导体技术吸杂和缺陷工程会议((Gettering and defect engineering in semicon-ductor technology,GADEST’99)于1999年9月25日至28日在瑞典隆德市附近的赫尔(HOOR)举行。来自24个国家的百位科学家参加了会议,会议交流论文近百篇,浙江大学一篇关于硅中氮杂质研究的论文在大会宣读。

作者杨德仁

机构地区浙江大学硅材料国家重点实验室

出处《国际学术动态》 2000年第5期31-33,共3页 International Academic Developments

关键词 “半导体技术吸杂和缺陷工程会议” 半导体材料

分类号 O474 [理学—半导体物理]

引文网络
相关文献

1Kunpeng Dou,Xiaoxiao Fu,Abir De Sarkar,Ruiqin Zhang.Dual response of graphene-based ultra-small molecular junctions to defect engineering[J].Nano Research,2016,9(5):1480-1488.
2屠海令.硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究[J].中国工程科学,2000,2(1):7-17. 被引量：10

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2000年第5期

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