摘要
将二维(2D)电势表达式和新判据引入到 Stanford 大学的器件模拟器 PISCES-IIB中,使之能在零载流子工作模式下便能迅速、正确地对具有浮空场限环(FFLR's)的平面结二极管的表面电场进行二维数值模拟。
A 2-D analytical guess and new criterion are incoporated into PISCFS to make it beable to calculate electrical field profile along the surface of an p(?)n junction of a planar diode with twofloating field limitting rings(FFLR's)speedly and correctly.
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期409-411,共3页
Journal of University of Electronic Science and Technology of China
关键词
平面结
二极管
电场分布
PISCEC
FFLR's
PISCFS
analytical and numerical analysis
electrical field profile
