摘要
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。
The mechanism cf intrinsc gettering (IG) effecr for Neutron Trans-mutation Doped Czochralski Silicon (NTDCZSI) differs from chat of Czochralski Silicon (CZSi), and it results from the interaction between irradition defets and in-terstitial oxygen. Annealing at 1100℃ for 4h, the intrinsic gettering of NTDCZSi can be performed.
基金
国家自科科学基金
关键词
中子嬗变
掺杂
直拉硅
吸除效应
Czochralski silicon (CZSi)
Neutron transmutation doped CZSi (NTDCZSi)
Intrinsic gettering effect(IG)
