电流增益温度稳定的硅双极晶体管

Silicon Bipolar Transistors With Temperature Stable Curent Gain

随着现代电子工业的迅猛发展,高可靠己成为现代武器系统、军用电子设备、航天航空工程和高性能电子整机的基本要求,电子整机、设备和系统要求能够在各种条件下工作,这就对半导体器件提出了具有耐环境变化的高可靠性和高稳定性的要求.半导体器件的电特性参数大多是温度敏感参数,环境温度的高低温变化将引起半导体器件电性能的剧烈变化,这直接影响了电子整机、设备和系统的性能,甚至使它们丧失工作能力.

A novel silicon bipolar transistor with temperature stable current gain is fabricated.The experlimental results show the values of HTR and LTF of current gain are both smaller than 20%.