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脉冲功率晶闸管制造工艺的数值模拟研究

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摘要 本文对脉冲功率晶闸管制造工艺的数值模拟进行了研究。主要论述了设计大尺寸晶闸管的技术,说明了明确晶闸管各个参数的重要性,并对其制作工艺的数值进行模拟研究,以保证晶闸管的质量。
作者 殷浩杰
机构地区 奉化供电局
出处 《中国新技术新产品》 2013年第18期12-12,共1页 New Technology & New Products of China
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  • 1纽春萍,陈德桂,刘颖异,戴瑞成.交流接触器温度场仿真及影响因素的分析[J].电工技术学报,2007,22(5):71-77. 被引量:52
  • 2蓝元良,汤广福,印永华,周孝信,辛玉梅.大功率晶闸管热阻抗分析方法的研究[J].中国电机工程学报,2007,27(19):1-6. 被引量:41
  • 3维捷斯拉夫·本达,约翰·戈沃,邓肯A·格兰特,等.功率半导体器件-理论及应用[M].吴郁,张万荣,刘兴明,等译.北京:化学工业出版社,2005,5:145-146.
  • 4曾正中.实用脉冲功率技术[M].西安:陕西科学技术出版社,2003.
  • 5Lehmann P. Overview of the electric launch activities at the french german research institute of saint- louis[J]. IEEE Transactions on Magnetics, 2003, 39(1): 24-28.
  • 6Spahn E, Zorngiebel V, Sterzelmeier K, et al. 50 kJ ultracompact pulsed power supply unit for vario~ts applications[C]. European Conference on Power Electronics and Applications, Germany, 2005.
  • 7Hammon H G, Bhasavanich D, Warren F T. Design approaches to pulsed power drivers for electromagnetic and electrothermal gun systems[C]. 8th Pulsed Power Conference, San Diego, 1991.
  • 8Spahn E, Sterzelmeier, Gauthi ultra-compact pulsed-power activeprotection launcher er K, et al. 50 kJ supply unit for systems[C]. 14th Symposium on Electromagnetic Launch Technology, Victoria, 2008.
  • 9Spahn E, Buderer G, Brommer V, et al. Novel 13.5 kV multichip thyristor with an enhanced di/dt for varioms pulsed power applications[C]. 2005 IEEE Pulsed Power Conferences Monterey, 2005.
  • 10Hoffman M G. Characterization of 125mm pulsec power thyristors[D]. Texas Tech University, 2003.

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