高分辨压电光电子学应力成像芯片

中国科学院北京纳米能源与系统研究所与美国佐治亚理工学院研究人员组成的研究小组首次研制出了主动自适应式、高分辨率、以光电信号为媒介并行处理的高分辨压电光电子学应力成像芯片系统。该系统基于采用垂直生长的纳米压电材料阵列制成的大规模发光二极管阵列研发设计，利用压电光电子学效应实现了利用外界应力／应变改变纳米压电发光二极管发光强度的过程。