摘要
VishayIntertechnology，Inc．宣布，扩充其采用超小PowerPAK0SC-70封装的‰nchFET@GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2x2mm，在-4．5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V（12VVGS和20VVGS）器件中最低的。
出处
《电子设计工程》
2013年第18期44-44,共1页
Electronic Design Engineering
