添加BaTiO3对SrTiO3晶界层电容器材料性能的影响
出处
《电子元件》
1991年第3期40-42,共3页
Electronic Component Special Monthly
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1周和平,陆新民,董为民,李龙土.Li_2CO_3助烧的SrTiO_3基晶界层电容器的研究[J].现代技术陶瓷,1994,15(1):3-10. 被引量：2
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2范福康,吴红忠.半导体陶瓷现状及发展趋势[J].火花塞与特种陶瓷,1997(2):9-12.
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3唐晓霞,范福康,吕忆农.氧化温度对空气中一次烧成SrTiO_(3)晶界层电容器的显微结构及电性能的影响[J].硅酸盐通报,1991,10(2):10-14. 被引量：5
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4钟朝位,张树人,岑孝良,叶耀红.SrTiO_3独石化晶界层电容器研究[J].无机材料学报,1994,9(2):173-178. 被引量：3
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5黄卓和.晶界层电容器的C-V特性[J].压电与声光,1990,12(4):29-32.
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6张树人,王鸿.晶界层电容器晶界重新绝缘化研究[J].硅酸盐学报,1989,17(1):18-23. 被引量：3
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7徐保民,殷之文,王鸿.SrTiO3陶瓷晶界层电容器材料的离子偏析[J].中国科学院研究生院学报,1993,10(4):368-374.
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8钟吉品,王鸿,殷之文.晶界势垒对晶界层电容器性能的影响[J].无机材料学报,1990,5(2):126-131. 被引量：1
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9周和平,陆新民,董为民,李龙土.添加Li_2CO_3的 SrTiO_3基晶界层电容器的电镜研究[J].无机材料学报,1993,8(1):69-74. 被引量：1
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10倪代秦,杨连贵.TiO_2陶瓷晶界层电容器的研究[J].电子科学学刊,1992,14(2):221-224.
