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365~193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制
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摘要
综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差 ,采用光刻模拟程序计算。采用顶层和底层抗反射涂层与否 ,对从 36 5nm曝光的 0 .40 μm到 193nm曝光的 0 .2 2 5 μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算。
作者
Brian Martin
Graham Arthur
万力
机构地区
GECPlesseySemiconductors
CentralMicrostructureFacility
出处
《电子工业专用设备》
2000年第4期50-56,共7页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词
半导体
光学光刻
模拟
多晶硅
亚半微米
曝光
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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