期刊文献+

一种X波段GaAsMMIC五位数字衰减器 被引量:4

下载PDF
导出
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期452-452,共1页 Research & Progress of SSE
  • 相关文献

同被引文献14

  • 1王会智,沈亚,蒋幼泉,李拂晓,张斌.一种新颖的4bit和5bit超宽带Ga As单片数字衰减器[J].Journal of Semiconductors,2005,26(3):585-589. 被引量:3
  • 2Toshiba microwave semiconductor technical data[M]. 2003.
  • 3Maoz B. A novel linear voltage variable MMIC attenuator [J]. IEEE Trans MTT, 1990, 38 (11): 1675- 1683.
  • 4Nesic. D Microstrip. Attenuator on Silicon Substrate with a Compact EBG( or PBG) Cell [ C ].// Teleconmmnicalions in Modern Satellite, Cable and Broad casting Services,2005.7'h International Conference onvol. 2. 2005:443-444.
  • 5Baeten, R. J, Ishii, T. K.. p-i-n diode attenuator with small phase shift [ J ]. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2008, 36(4) :789-791.
  • 6Amit Kumar Varshney, Samiran Pramanik, A. K. Shrivastav et al. Application of FEM Technique in Realization of PIN Diode Attenuator [ C ].//2009 Applied Electromagnetic Conference ( AEMC 2009 ) , 2009:150-153.
  • 7Baeten, R. J. ,Ishii,T. K. , Institute of Electric and Electronic Engineer et al. Minimalphase shift microstrip PIN diode attenuators [ C ].// Circuits and Systems, 1988., IEEE International Symposium on vol. 3. 1988 :2527-2530.
  • 8《中国集成电路大全》编委会编.微波集成电路[M].北京:国防工业出版社.2005:1—45.
  • 9郑惟彬,李拂晓,李辉,沈亚,潘晓枫,沈宏昌.砷化镓0.25μm PHEMT开关模型研究[J].固体电子学研究与进展,2008,28(3):372-376. 被引量:5
  • 10贾宇明,杨邦朝,刘强,曲喜新.钽铝薄膜中功率衰减器的设计[J].仪器仪表学报,1999,20(2):210-212. 被引量:3

引证文献4

二级引证文献8

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部