注入光敏器件与MOS场效应结构比较

Comparison Between Injection Photodetector and MOS Field Effect Structure

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摘要通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构。 By theoretical analysis and experiment, it has been proved that injection photodetector is not a MOS field effect structure.The different conclusion and opinions put forward in reference [9] are discussed in detail with our own views.

作者何民才黄启俊王海军

机构地区武汉大学物理系

出处《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期439-441,445,共4页 Semiconductor Optoelectronics

关键词光探测器注入光敏器件 MOS场效应结构 photodetector injection photodetector MOS field effect struet(

分类号 TN364 [电子电信—物理电子学]

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