摘要
四配位非晶碳薄膜是近年来发展的一种新型宽带隙半导体材料 ,具有独特的物理和化学特性。本文对四配位非晶碳薄膜的研究意义 ,制备方法 ,形成机理 ,结构和性能表征及应用前景作较全面的介绍。
Tetrahedral amorphous carbon films (ta C) have become a new type of wide band gap amorphous materials because of its valuable physical and chemical properties. In this paper, the deposition process, growth mechanism, basic properties and application of ta C films are reviewed.
出处
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2000年第4期75-79,共5页
New Carbon Materials
基金
广东省自然科学基金!(9945 6 0 )
关键词
四配位非晶碳薄膜
制备方法
形成机理
结构
性能
Tetrahedral amorphous carbon
Deposition process
Growth mechanism
Structure and properties
Application\