宽禁带稀磁半导体材料研究进展

为适应现代信息技术超高速、超高频和超大容量的发展趋势，研究者开始关注同时具备磁性及半导体特性的材料。从20世纪80年代开始，研究者尝试将少量的磁性原子掺人非磁性宽禁带半导体材料中，以获得磁性半导体材料，制备出集磁、光、电子一体的低功耗新型半导体电子器件。