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含噻吩环噁二唑衍生物的合成及电化学性能研究 被引量:18

Studies on Synthesis and Electrochemical Activity of Oxadiazole Derivatives Incorporting Thiophene Ring
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摘要 合成了新的化合物 2 ,5-双 [2 ,2 -双 ( 5-取代苯基 ) -1 ,3,4 -二唑 ]噻吩 ( R— OXD) ( R=H,CH3O,CH3,F,CN) ,用 1 H NMR和元素分析对其进行了表征 .同时 ,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测试 .结果表明 ,除了 F— OXD外 ,这一系列化合物的电子亲和势高于常用电子传输材料 PBD,说明它们的电子传输材料性能优良 . A series of novel oxadiazole derivatives containing π excessive five memberd ring heterocycle thiophene(R—OXD) have been prepared as the electron transport layer in organic electroluminescent (OEL) devices. Their molecule structures were characterized by 1H NMR and elemental analysis. The results of cyclic voltammetry measurements imply that all these R—OXD but F OXD have a higher electron affinity( E A) than 2 (4 biphenyl) 5 ( t butylphenyl) 1,3,4 oxadiazole(PBD) which implies that they are better electron acceptors than PBD. So they are potentially better materials as the electron transfer.
出处 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1719-1722,共4页 Chemical Journal of Chinese Universities
基金 国家自然科学基金! (批准号 :5 9790 5 0 6 )资助
关键词 噻吩 恶二唑衍生物 电子亲和势 电离势 Thiophene Oxadiazole derivatives Electron affinity
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献11

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共引文献24

同被引文献134

引证文献18

二级引证文献38

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