中芯国际推出差异化的0.13微米低功耗嵌入式工艺

2013年10月15日，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业——中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所代码：981）于上海宣布，其0．13微米低功耗（LL）的嵌入式闪存（eFlash）工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续，为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。