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首件国产高压IGBT芯片通过鉴定

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摘要 中国科技网讯我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300VIGBT模块,今天(12日)通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
出处 《黑龙江科技信息》 2013年第27期I0004-I0004,共1页 Heilongjiang Science and Technology Information
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