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首件国产高压IGBT芯片通过鉴定
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摘要
中国科技网讯我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300VIGBT模块,今天(12日)通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
出处
《黑龙江科技信息》
2013年第27期I0004-I0004,共1页
Heilongjiang Science and Technology Information
关键词
IGBT模块
高压大功率
芯片封装
专家鉴定
绝缘栅双极型晶体管
中国科技网
国产
自主研发
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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黑龙江科技信息
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