摘要
主要讨论数值方法、计算及模拟在纳米尺度电子器件研究中的应用。分析了利用 Nemerov算法求解薛定谔方程 ,计算单电子器件半经典的双隧道结模型的隧穿 I- V关系。以及利用搜索算法对单电子 I- V特性的计算机拟合。
This paper mainly discusses about the applications of numerical methods and computer simulation in Nanoscale Devices study.The Ⅰ Ⅴ characteristics of Single Electron Transistor are numerically calculated by using Numeroy algorithm.And the application of Genetic Algorithm is discussed.
出处
《四川通信技术》
2000年第6期16-20,共5页
Sichuan Communications Technology
关键词
计算机拟合
电子纳米器件
数值算法
Computer simulation
Genetic Algorithm
Single Electron Transistor