专利

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摘要专利名称：一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500—1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0．1—760torr下反应0．1—9999min，待炉内温度冷却至室温，

出处《中国钼业》 2013年第5期44-44,共1页 China Molybdenum Industry

关键词专利名称钼催化剂反应器反应温度含碳气体炉内温度石墨烯薄膜

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中国钼业

2013年第5期

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