摘要
本文对张应变 Ga As层引入使 In As/ Inp量子点有序化排列的机制进行了分析 .为提高 In As/ Inp自组装量子点特性提供了理论依据 .
In this paper it is analysed mechanism that tensile strain may control the site of quantum dots.This provides a foundation for us in obtaining order InAs/InP self assembled quantum dots.
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
2000年第11期1021-1023,共3页
Acta Photonica Sinica
基金
国家自然科学基金资助项目!( 699760 1 2 )
关键词
自组装量子点
有序生长
张应变砷化铟层
Self assembled quantum dots
Ordering growth
Tensile strained GaAs la4
