中芯国际推出差异化的0.13微米低功耗嵌入式工艺

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摘要中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所代码：981），中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业宣布，其0．13微米低功耗（LL）的嵌入式闪存（eFlash）工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续，为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。

机构地区美通社

出处《电子技术与软件工程》 2013年第20期12-12,共1页 ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

关键词中芯国际集成电路制造有限公司嵌入式闪存低功耗差异化工艺微米中国内地晶圆代工

分类号 TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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