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我国多晶硅铸锭坩埚的现状与发展 被引量:5

Current Situation and Development of the Crucibles for Multicrystalline Silicon Ingots in China
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摘要 本文总结了我国多晶硅锭坩埚生产现状,指出熔融石英材质坩埚仅能一次性使用,可反复使用的坩埚是发展方向,介绍了国内外可反复使用坩埚的主要生产技术。 The manufacturing status of the polysilicon ingots crucible is summarized in the paper. Since the fused quartz crucible can be used only once, crucible which can be used repeatedly is the trend of development. The paper introduces its main manufacturing techniques.
作者 李贵佳
出处 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2297-2301,共5页 Bulletin of the Chinese Ceramic Society
关键词 多晶硅锭 坩埚 熔融石英 反复使用 muhicrystalline silicon ingot crucible fused silica used repeatly
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参考文献13

  • 1施泰因·朱尔斯鲁德,蒂克·劳伦斯·纳斯.用于使半导体级多晶硅锭料定向凝固的方法和坩埚[P].中国专利,N200780023613,2007.06-22.
  • 2G·兰克勒.处理熔融硅的坩埚[P].中国专利,N200780003063,2007-01-12.
  • 3鲁内·罗利吉特恩,耶尔特鲁德-里安,施泰因·朱尔斯鲁德.可重复使用的坩埚及其制造方法[P].中国专利,N200780023521,2007-06-20.
  • 4施泰因·朱尔斯鲁德,蒂克·劳伦斯·纳斯.用于生产半导体级硅的装置和方法[P].中国专利,N200780023487,2007-06-20.
  • 5H·索尔海姆,A·索尔海姆.制备陶瓷成形部件的方法、装置及其用途[P].中国专利,N201080018032,2010-04-23.
  • 6H·索尔海姆,A·索尔海姆,E·范德朔特布鲁格.氮化硅基坩埚[P].中国专利,N201080059017,2010-12-22.
  • 7Chandra P, Khattak, DanversFrederick Schmid, et al. Refusable crucible for Silicon ingot growth [ P ],美国专利,N10/423250,2003-04-25.
  • 8矶村敬一郎,山崎宽司,齐藤刚.多晶硅熔解用坩埚及其制造方法[P].中国专利,N201210163681,2012-05-24.
  • 9冯志峰.太阳能电池用氮化硅坩埚[P].中国专利,N200920256012,2009-12-01.
  • 10冯志峰.多晶硅太阳能电池铸锭用氮化硅坩埚[P].中国专利,N200920256013,2009-12-01.

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引证文献5

二级引证文献5

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