期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
友刊链接
下载PDF
职称材料
导出
摘要
针对四氯化硅催化氢化过程采用第一性原理机理对其进行模拟研究,结果表明:没有催化剂时,SiCl4与H2反应能垒为464.45kJ/mol,反应能量为74.94kJ/mol,与热力学计算结果71.85kJ/mol一致。
出处
《宁波化工》
2013年第3期45-48,共4页
Ningbo Chemical Industry
关键词
链接
反应能量
第一性原理
SiCl4
MOL
氢化过程
四氯化硅
计算结果
分类号
O561.2 [理学—原子与分子物理]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
杨艳,张伟刚.
SiCl_4-CH_4-H_2系统沉积碳化硅动力学与微结构(英文)[J]
.Chinese Journal of Chemical Engineering,2009,17(3):419-426.
被引量:1
2
Rodrigo Nobis da Costa Lima,Sergio Ferreira de Paula Silva,Antonio Carlos Delaiba,Ezequiel Junio deLima.
Energy Efficiency of Reactive Dynamic Compensators[J]
.Journal of Energy and Power Engineering,2016,10(3):191-198.
3
HUANGRui LINXuan-Ying YUYun-Peng LINKui-Xun WEIJun-Hong YUChu-Ying WANGZhao-Kui.
Fast Growth of Polycrystalline Film in SiCl4/H2 Plasma[J]
.Chinese Physics Letters,2004,21(6):1168-1170.
被引量:3
4
马南茹,林承键,王建松,杨磊,王东玺,郑垒,许世伟,孙立杰,贾会明,马军兵,马朋,金仕纶,白真,杨彦云,徐新星,张高龙,杨峰,何建军,张焕乔,刘祖华.
A multilayer△E-ER telescope for breakup reactions at energies around the Coulomb barrier[J]
.Chinese Physics C,2016,40(11):128-132.
5
万竟平,梁建华.
脉冲激光镀膜技术在氢化物薄膜制备中的应用[J]
.材料导报(纳米与新材料专辑),2012,26(1):126-128.
6
卢振西,张伟刚.
四氯化硅在微波等离子体中的氢化(英文)[J]
.Chinese Journal of Chemical Engineering,2014,22(2):227-233.
被引量:2
7
李莉蓓,寇琦,戚旭.
一个异乎寻常的冷胀热缩的现象——关于“熵”的实验设计[J]
.化学教育,2010,31(1):61-61.
被引量:8
8
黄伯球.
交变高压下的聚变反应[J]
.孝感师专学报,1996,16(1):25-26.
9
林璇英,黄创君,林揆训,余运鹏,余楚迎,池凌飞.
Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition[J]
.Chinese Physics Letters,2003,20(10):1879-1882.
被引量:4
10
YANG,Wei-Fan,KONG,Deng-Ming,等.
Observation of exotic nuclear decay of (230)~U[J]
.Nuclear Science and Techniques,2003,14(1):49-52.
宁波化工
2013年 第3期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部