摘要
随着微电子技术进入65nm及以下技术节点.集成电路布线层数已达10层以上,布线间介质使用LowK介质。每层都必须进行化学机械抛光(CMP),使平整度达到纳米级、粗糙度达埃米级的光刻要求,需要低机械强度(1Psi以下)完成CMP,实现表面全局和局部的高平整、低粗糙度、低缺陷密度和高洁净度。多年来我国在多层铜布线以及ULSI硅衬底单晶片CMP技术专用材料方面长期受美、日控制和制约,而且目前占国际市场65%以上的酸性抛光液存在亟待解决的多项技术难题。
出处
《科技成果管理与研究》
2013年第11期86-87,共2页
Management And Research On Scientific & Technological Achievements