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一种应用于物联网的双频段射频D类功放的设计 被引量：1

A Dual-Band Class-D CMOS Power Amplifier for IoT Applications
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摘要 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一个适用于物联网系统的双频段(400MHz/600MHz)射频D类功率放大器.电路采用了一种没有开关的双频段阻抗匹配网络来解决功放多频化的问题,并进行了理论分析及设计.测试结果表明,采用2V电源供电,电路在400MHz/600MHz两个频段上的输出功率分别为14dBm/15.4dBm,功率增益分别为17.4dB/16.8dB,功率附加效率分别为35%/34%. In this paper, a dual-band Class-D CMOS power amplifier （PA） in a standard 0. 18/~m CMOS process is presented for Internet of Things （IoT） applications. The paper describes the specific method of matching network at the dual-band （400 MHz/600 MHz） and the circuit operates at 2V supply voltage. Measurement results indicated that the proposed amplifier provides 17. 4 dB/16. 8 dB gain, 14 dBm/15. 4 dBm output power and the measured maximum efficiencies of the dual-band PA are 350%-34% at the 400/600 MHz bands, respectively.
作者 崔剑慧 张科 田彤
机构地区 中科院上海微系统与信息技术研究所
出处 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第12期129-132,共4页 Microelectronics & Computer
基金 国家科技重大专项资助项目(2011ZX02506-004)
关键词 多频段 匹配网络 功放 CMOS工艺 dual-band~ matching network~ power amplifiers （PA） ~ CMOS technology
分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]
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参考文献5

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同被引文献4

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引证文献1

微电子学与计算机
2013年 第12期

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