期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

瞬态抑制二极管阵列

下载PDF

导出

摘要 Littelfuse为其SP3012系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）产品新添两种封装选择。与该系列的其他产品类似，新器件经过优化，可防止外部ESD（静电放电）对高速数据线的敏感型芯片组造成破坏。

出处《今日电子》 2013年第12期65-66,共2页 Electronic Products

关键词二极管阵列瞬态抑制静电放电新器件芯片组敏感型数据线 ESD

分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1郑畅.Littelfuse推出四个新系列的瞬态抑制二极管阵列[J].半导体信息,2015(3):30-31.
2用于高速接口ESD保护的瞬态抑制二极管[J].今日电子,2016,0(9):66-66.
3李少康,吴小清,林鹏.铁电薄膜电滞回线测量高压激励源放大器研制[J].西安工业学院学报,2006,26(1):5-7.
4谢英.发射机的电磁兼容性设计[J].电子工程师,2008,34(10):1-4.
5低电容型瞬态抑制二极管阵列[J].今日电子,2014(10):67-67.
6Littelfuse推出为快速充电外围设备而优化的低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列[J].电子质量,2015,0(3):46-47.
7张凯.充电器保护电路设计[J].科技经济市场,2010(5):15-16. 被引量：1
8SP4020／1：SPA二极管[J].世界电子元器件,2013(11):24-24.
9元器件/消费电子[J].电子产品世界,2013,20(5):71-72.
10赵佶.Littelfuse推出为快速充电外围设备而优化的低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列[J].半导体信息,2015(1):10-11.

今日电子

2013年第12期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部