静电摄影用新型α-SiC:H感光体

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摘要 1.前言1987年出现的α-SiC:H感光体与80年代初出现的α-Si:H感光体相比,具有在可见光区光敏性高、表面硬度大、热稳定好、无毒;而且还具有电阻率高、易于保存表面电荷、淀积率高、成膜速度快(10μm/小时)等优点。因此,它不仅作为感光体的表面保护层(SPL),而且。

作者王永瑜

机构地区西北大学物理系

出处《感光材料》北大核心 1991年第2期22-24,27,共4页

关键词感光材料 α-SiC:H 静电摄影

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感光材料

1991年第2期

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