摘要
晶格缺陷不仅是材料中不可避免的结构单元,更是影响材料性能重要的,甚至决定性的因素.相对于周期性的晶体结构,晶格缺陷的原子构型由大量原子的坐标决定,这给实验测量带来很大困难.对计算材料学而言,多参数的全局优化也是一个经典的难题.计算设计所得的结构与其相应的性能是否能实现,需要实验验证.本文以近期对氧化物表面的研究工作为例,介绍了像差校正电子显微学与第一原理计算相结合在分析晶格缺陷的原子结构方面的重要作用.通过定量高分辨电子显微镜实验在亚埃分辨对缺陷的原子构型进行皮米精度的测量,并运用第一原理计算在原子尺度研究材料的电子结构与动态行为.二者相辅相成,从时间与空间两个尺度都能加深对材料的原子结构的理解和认识,推进原子层次的材料设计.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第35期3717-3721,共5页
Chinese Science Bulletin
基金
国家自然科学基金(51071092
50971015
50971075
50831001
50801040)
国家重点基础研究发展计划(2009CB623701
2011CB606406)
教育部全国百篇优博专项
新世纪优秀人才支持计划
教育部留学回国人员启动基金资助
