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半导体PN结器件一维稳态模拟

Modeling of one-dimensional static semiconductor PN devices
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摘要 从研究半导体PN结器件烧毁物理机理出发,建立了一种高效通用的半导体PN结器件计算机分析模型,并编制了一维德态程序,瞬态程序及二维模型研究将随后开展。 Based on the purpose of mechanism research of burnout of semiconductor PN devices,we built a general and high per formance computer mode for it,and programmed the one -dimensional static code. The transit and the two dimensional situation will be fol-lowed.
出处 《衡阳师范学院学报》 1999年第6期34-39,共6页 Journal of Hengyang Normal University
关键词 计算机模拟 一维稳态 半导体PN结器件 烧毁 微波 semiconductor devices computer modeling one-dimensional static
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参考文献2

二级参考文献2

  • 1Word A L,HDLTR 2195,1991年
  • 2厦门大学物理系半导体物理教研室.半导体器件工艺原理[M]人民教育出版社,1977.

共引文献14

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