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最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT
被引量：
2
A THz InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with f_(max) of 416 GHz
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摘要
太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。
作者
程伟
王元
赵岩
陆海燕
牛斌
高汉超
机构地区
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
关键词
InGaAs
InP
最高振荡频率
太赫兹
DHBT
GHz
异质结双极型晶体管
集成功率放大器
l
f噪声
分类号
TN491 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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固体电子学研究与进展
2013年 第6期
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