TFSOI/CMOS ESD研究

Study of TFSOI/CMOS ESD

文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提高 TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径。

The important difference of ESD protection circuit between TFSOI and bulk CMOS is discussed， and the influence of some parts in the ESD circuit is analyzed. An ESD－ protection circuit over 2000V of ESD－ hardness is developed. At last some methods to improve the Anti－ Electrostatic－ Charge are discussed.