摘要
美国半导体制造业正在权衡两种光刻设备的利弊,一种是称为同步加速器的大型而昂贵的粒子加速器,另一种是小型但仍属大型实验设备的激光等离子体光源。众所周知,半导体芯片是用光刻技术生产的。随着芯片上元件密度迅速增高,线宽日趋变窄,所用光的波长也只能越来越短。据估计,五年之后,256兆位芯片需求量将大幅度增加,其上的线宽不到0.25微米,因此需用波长极短的X射线进行蚀刻。
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1991年第6期37-38,共2页
Chinese High Technology Letters