用反应离子腐蚀技术制作DFB激光器中的光栅
Grating of DFB Lasers through Reactive Ion Etching
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1991年第11期1-3,共3页
Chinese High Technology Letters
关键词
激光器
光栅
半导体
反应离子腐蚀
Microfabrication
Reactive Ion Etching
Semiconductor Lasers
Ⅲ-Ⅴ Compound
-
1李建中.氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用[J].Journal of Semiconductors,1990,11(12):937-941. 被引量：1
-
2K.Y.Toug,付文杰.用CHF_3进行SiO_2反应离子腐蚀后Si表面的电特性[J].半导体情报,1992(2):61-63.
-
3袁明文.全自动反应离子腐蚀3英寸GaAs片实验研究[J].半导体情报,1996,33(6):27-29.
-
4许兆鹏.磷化铟的CH_4／H_2反应离子腐蚀研究[J].固体电子学研究与进展,1995,15(2):173-179. 被引量：1
-
5半导体材料[J].电子科技文摘,1999(5):6-6.
-
6许兆鹏.GaAs的CH_4／H_2反应离子腐蚀研究[J].固体电子学研究与进展,1995,15(4):403-407.
-
7苏毅,谭淞生,王渭源.CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(6):375-380. 被引量：1
-
8李建中,陈纪瑛.采用CH_4/H_2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究[J].Journal of Semiconductors,1991,12(4):231-237. 被引量：3
-
9辛罡,周绪川.微米印制技术中使用反应离子腐蚀过程的研究[J].西南民族大学学报（自然科学版）,2013,39(3):401-404.
-
10孙洪强,徐宇新（审核）.干法腐蚀[J].导航与控制,2005,12(4):12-12. 被引量：1
