摘要
利用倒置相差显微镜观察了用于蓝紫光倍频的硫氰酸汞镉晶体 (CdHg(SCN) 4 )在 3%的KCl溶液中的生长形貌 :在 (10 0 )面上呈现为生长直线台阶列 ,在锥面上呈现生长丘。在溶液循环流动的情况下测量了晶体的生长速率 ,发现晶体在过饱和度低于 2 .5%时不生长。计算了晶体不同面的界面相变熵因子。通过三者综合分析得到晶体为多二维成核生长机制。
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期315-319,共5页
Journal of Synthetic Crystals
基金
国家自然科学基金资助项目!(No .5 9832 0 80和 5 9772 0 0 3)