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IC封装基板超高精细线路制造工艺进展 被引量:11

Develop of manufacture techniques of IC package substrate ultra-fine lines
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摘要 概述了目前超高精细线路制作的减成法、加成法、半加成法。针对减成法在倒装芯片球栅阵列封装和倒装芯片级封装积层精细线路制造中存在的缺点,重点介绍了超高精细线路半加成及改进的半加成工艺,并从精细线路制造角度分析了曝光、快速蚀刻等关键流程,展望了后续超高精细线路半加成工艺的发展方向。 Conventional subtractive process, additive process and semi-additive process are introduced contrastively. For the unavoidable disadvantages of subtractive process in manufacturing fine lines of Flip-Chip BGA and Flip-Chip CSP, the semi-additive process and a modified versions of the semi-additive process are expound. Key processes of semi-additive process, such as exposure, flash etching, etc. are also analyzed. Future trend of ultra-fine lines development is also covered in the end.
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期6-9,15,共5页 Electronic Components And Materials
基金 国家科技重大专项课题资助项目(No.2011ZX02709-002)
关键词 IC封装基板 超高精细线路 综述 半加成法 图形转移 曝光 快速蚀刻 IC package substrate ultra-fine lines review semi-additive process pattern transfer exposure flashetching
  • 相关文献

参考文献18

二级参考文献52

  • 1张青,阙民辉.液态光致抗蚀剂浅析[J].印制电路信息,2002(8):26-29. 被引量:1
  • 2吴建华,杨成龙,郭敬涛.新型液态光致抗蚀剂[J].印染,2005,31(5):29-31. 被引量:1
  • 3王秀文,姜洪艳,刘志鹃,王增林.高锰酸钾溶液粗化环氧树脂板的研究[J].电镀与精饰,2006,28(6):9-13. 被引量:6
  • 4Karl H.Dietz. Dry film photoresist processing technology. electrochemical publications LTD,2001.
  • 5刘德林,成立,韩庆福,李俊,徐志春,张慧.高密度互连技术及HDI板用材料的研究进展[J].半导体技术,2007,32(8):645-649. 被引量:5
  • 6沼仓研史.高密度柔性印制电路板[M].上海:印制电路信息杂志社,1998,11.
  • 7苅宿友幻紀.LCDモジュ一ル用COF基板.電子材料,2006,no5,p73-78.
  • 8山本拓也,井上尚光.COFなとの高密度フレキシプル配線板用電解銅箔[DFF][J].電子材料,2006,no10,p25-28.
  • 9鈐木昭利,茂木貴美,斎藤貴弘,松本直雄.COF用途ぉょび高屈曲FPC用途電解銅箔[U-WZ箔][J].電子材料,no10,p35-38.
  • 10山本拓也,井上尚光.COFをとの高密度フレキシブル配缘板用電解铜箔[DFF][J].電子材料,2006,no10,p25-28.

共引文献16

同被引文献58

引证文献11

二级引证文献22

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