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节能化:功率器件的永恒主题
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摘要
针对各类设备的小型化、低功耗化、高效化和高速化的要求,人们加紧了相应的功率器件的研制开发.另外,功率器件的基本构造正在从双极型MOS型过渡,作为MOS器件的功率MOS-FET、IGBT(Insulated Gage Bipolar Transistor)和IPD(Intelligent Power Device智能型功率器件)都在努力扩大自己的应用领域.
作者
岳云
出处
《世界电子元器件》
2001年第2期38-40,共3页
Global Electronics China
关键词
节能
功率器件
IGBT
功率MOSFET
分类号
TK018 [动力工程及工程热物理]
TN3 [电子电信—物理电子学]
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