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TiO_2材料的半导化机理探讨 被引量:6

Exploration of semi-conductivity mechanism on TiO_2 material
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摘要 研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响,结果表明:TiO2材料在高温条件 下可产生间隙离子和氧空位;掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb 5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体,从而增加材料的导电粒子数目 ,改变TiO2材料的能带结构,降低材料的固有阻值,使TiO2材料半导化. The effect of the surface mix and the high-temperature sintering on the semi -conductivity mechanism of TiO2 materials has been studied. The result demons trated that the high-temperature sintering has produced interval ion and oxygen space; that the surface mix with V5+, Nb5+, Sb5+, Mg2+, Li+ ion has formed solid meltable bodys with the semi-conductivity o f TiO2 materials. These have raised electrical conductivrty, improved the energy belt structure ane reduced the resistance of TiO2 materials.
出处 《郑州轻工业学院学报》 2000年第4期99-101,共3页 Journal of Zhengzhou Institute of Light Industry(Natural Science)
关键词 二氧化钛 高温试验 导电材料 表面掺杂 半导化 titanium dioxide high-temperature tests conductor materials surface mix semi-conductiv`
  • 相关文献

参考文献7

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共引文献6

同被引文献119

引证文献6

二级引证文献18

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