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Vishay的Si7655DN-20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖

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摘要 VishayIntertechnology,Inc．宣布其Si7655DN一20VP沟道GenIII功率MOSFET荣获EDNChina2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。

出处《电子设计工程》 2014年第1期175-175,共1页 Electronic Design Engineering

关键词 P沟道MOSFET 产品创新功率MOSFET 电源器件 INC

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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电子设计工程

2014年第1期

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