摘要
本课题采用分子束外延技术,生长高质量的大功率半导体激光器材料,并制备高性能的大功率半导体激光器器件,提供给八六三项目的其它课题,制做大功率半导体激光光纤耦合模块,为全固态绿、蓝光激光器系统提供高性能的泵浦源。 经过近5年的研究,在大功率半导体激光器材料生长和器件制备方面取得了很大进展。(1)研制出的808nm,大功率量子阱激光器材料阈值电流密度低(300~400A/cm^2),发光波长准确(808.7±3.0nm)均匀性比较高。(2)
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001年第2期47-48,共2页
Materials Reports