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强激光辐照对多晶硅少子寿命影响的研究

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摘要 1)用脉宽约为100ns的可调谐TEACO2脉冲激光器产生的功率为兆瓦级的强红外激光脉冲直接照射硅片,改变激光的频率、能量密度、照射脉冲数等,用扫描电镜观察硅片的表面形貌和断面形貌硅片,用傅里叶红外光谱仪测试硅片,测量硅片氧碳含量,用高频光电导法测硅片少子寿命。
出处 《技术与市场》 2014年第2期139-139,共1页 Technology and Market
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