电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫

氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）的结构弛豫是导致α－Ｓｉ：Ｈ性能光诱导衰变的重要原因之一。用０．５ＭｅＶ、注量１．３ × １０２０ｅ／ｃｍ２的电子束辐照，α－Ｓｉ转化为微晶硅，不稳定的弱Ｓｉ－Ｓｉ键因断裂而减少。 α－Ｓｉ光电池的相应试验初步证实，合适的电子辐照可以缓解α－Ｓｉ的结构弛豫现象。