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国际半导体技术发展路线图(ITRS)2012版综述(3)

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摘要将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难，今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22nm半节距DRAM和16nm半节距闪存选择一种光刻方法，但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩（ArF）浸入光刻技术并不能在40Hm及更小的半节距尺度有多大发展，

作者赵聚晟(译) 郭新军(校)

机构地区北京大学信息科学技术学院工业和信息化部电子科学技术情报研究所

出处《中国集成电路》 2014年第1期16-26,共11页 China lntegrated Circuit

关键词半导体技术路线图综述国际光刻技术半导体行业 DRAM 小尺寸

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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中国集成电路

2014年第1期

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