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千瓦级LDMOS大功率器件研制
被引量：
3
Fabrication of 1 kW Output Power LDMOS Device
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摘要
南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。
作者
王佃利
李相光
严德圣
应贤炜
丁晓明
梅海
刘洪军
蒋幼泉
机构地区
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
关键词
大功率器件
LDMOS
千瓦级
南京电子器件研究所
器件结构
散热设计
横向结构
场板结构
分类号
TN949.7 [电子电信—信号与信息处理]
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固体电子学研究与进展
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