Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET

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摘要日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET＊P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在一IOV和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016n和0．0020Q，可提高移动电子设备的效率。

出处《电子设计工程》 2014年第3期167-167,共1页 Electronic Design Engineering

关键词 P沟道MOSFET RDS(ON) 功率MOSFET 低导通电阻电子设备 INC

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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