摘要
系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究进展,重点从预置层制备过程中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和可能的解决方案进行讨论,并对金属预置层后硒化法的发展前景和趋势进行了展望。
This paper reviewed the recent development of the Cu（In, Ga）Se2 （CIGS） layer in terms structures of the as-deposited metallic precursors, the Se-sources and selenization techniques for the problems and possible solutions of each technique involved were discussed. of the target sources and the layer post-selenization. The advantages,
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期506-512,共7页
Rare Metal Materials and Engineering
基金
国家自然科学基金(21073029
51102039
51211140045)
新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0296)
西部之光人才培养计划联合学者项目(LHXZ200902)
中国博士后科学基金(20100481375
201104640)
中央高校基本科研业务费(103.1.2 E022050205)
关键词
金属预置层
硒化
CIGS
薄膜太阳电池
光吸收层
metal precursor
selenization
Cu（In, Ga）Se2 （CIGS）
thin film solar cell
light absorber layer
